气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法
公开
摘要
气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
基本信息
专利标题 ：
气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481085A
申请号 ：
CN202111246758.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡边信一郎矢岛孝博齐藤达也内田达朗
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号
代理机构 ：
北京魏启学律师事务所
代理人 ：
魏启学
优先权 ：
CN202111246758.X
主分类号 ：
C23C16/04
IPC分类号 ：
C23C16/04 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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