气相沉积炉及气相沉积系统
授权
摘要

本实用新型揭示了气相沉积炉及气相沉积系统,其中气相沉积炉,包括罩体及盖板,它们均连接一轴,罩体的侧壁上设置有第一气道、第二气道及第一电极及第二电极,第一电极电连接架设于罩体内的导电工件放置架,第二电极电连接位于罩体内且与导电工件放置架位置对应的导电板;盖板连接驱动其绕轴转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构,第一状态下,盖板密封所述罩体的开口并与罩体形成一密封腔,第二状态下,盖板使罩体的开口保持敞开状态。本方案通过罩体与盖板形成腔体,且盖体可相对罩体翻转,极大的方便进行上下料作业,不需要采用微波发生器作为能量来源,有利于降低成本,盖板可以自动打开和关闭,效率高,易于操作。

基本信息
专利标题 :
气相沉积炉及气相沉积系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921828411.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-29
授权号 :
CN211142169U
授权日 :
2020-07-31
发明人 :
刘鑫培朱小刚刘慧敏
申请人 :
苏州创瑞机电科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区苏虹东路17号2#厂房
代理机构 :
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
陆明耀
优先权 :
CN201921828411.4
主分类号 :
C23C16/513
IPC分类号 :
C23C16/513  C23C16/455  C23C16/52  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/513
采用等离子流
法律状态
2020-07-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211142169U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332