用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置
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摘要
一种用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置，其中，所述托盘包括：托盘，可沿其中心轴转动，设有若干个基片槽，所述基片槽用于容纳待处理基片，每个所述基片槽包括远离所述中心轴的远心段、靠近所述中心轴的近心段和位于所述远心段和近心段之间的第一补偿段，所述基片槽具有槽中心，所述第一补偿段到槽中心的距离为第一距离，所述近心段到槽中心的距离为第二距离，所述第一距离大于第二距离。利用所述化学气相沉积装置有利于提高在晶圆边缘生长外延层的一致性。
基本信息
专利标题 ：
用于化学气相沉积装置的托盘和化学气相沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922459233.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211570766U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
姜勇汪国元
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
包姝晴
优先权 ：
CN201922459233.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/46 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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