化学气相沉积设备的晶圆承载装置
授权
摘要
本申请提供了化学气相沉积设备的晶圆承载装置。该化学气相沉积设备的晶圆承载装置包括用于容置所述晶圆的内架圈。所述内架圈包括形状为环形的主体部及位于所述主体部内侧的置入口。所述晶圆能够从所述置入口置入所述内架圈中，所述内架圈还包括与所述内架圈的主体部一体形成的补偿部，所述补偿部从所述主体部朝向径向内侧延伸。在所述晶圆置入所述内架圈的状态下，所述补偿部与所述晶圆形状互补，使得所述晶圆和所述补偿部一起形成的结构为圆形。本申请通过设置补偿部来补偿晶圆由于定位边或定位槽而产生的缺口，利于避免晶圆上气体的紊流，使外延层的生长更均匀。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积设备的晶圆承载装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220263829.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
CN216688314U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
卢勇蒲勇赵鹏
申请人 ：
材料科学姑苏实验室;芯三代半导体科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202220263829.0
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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