沉积薄膜制程中的晶圆承载装置
专利权的终止
摘要

本实用新型是一种沉积薄膜制程中的晶圆承载装置,包括:一反应室;一加热座,设在所述的反应室内;一静电吸盘,固定在所述的加热座顶面,用来吸附固定一晶圆;一沉积环,固定在所述的静电吸盘的外圆周;一低位护罩,固定在所述的沉积环的外圆周,其具有一向上开口的沟槽,所述的沟槽两侧分别为一第一侧壁以及一第二侧壁;一高位护罩,固定在所述的反应室的侧壁,其具有一第一侧壁伸入所述的低位护罩的沟槽中,所述的第一侧壁的底端与所述的沟槽的槽底相隔一距离;复数顶针,固定在所述的反应室底部,可穿过所述的加热座以及所述的静电吸盘周缘的顶针穿孔而能接触所述的晶圆的底面。

基本信息
专利标题 :
沉积薄膜制程中的晶圆承载装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820132609.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-30
授权号 :
CN201236206Y
授权日 :
2009-05-13
发明人 :
陈汉阳
申请人 :
陈汉阳
申请人地址 :
台湾省新竹县
代理机构 :
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孙皓晨
优先权 :
CN200820132609.4
主分类号 :
C23C14/50
IPC分类号 :
C23C14/50  H01L21/68  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2014-10-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101587369838
IPC(主分类) : C23C 14/50
专利号 : ZL2008201326094
申请日 : 20080730
授权公告日 : 20090513
终止日期 : 20130730
2009-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332