晶圆承载装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种晶圆承载装置，应用于晶圆溅镀或蚀刻制程，其通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆加温或冷却，此制程气体经由至少一泄气口进入并均匀分布于半导体制程室内。此晶圆承载装置包括一载盘以及一气管，其中载盘包括一连续沟槽、一供气口、以及至少一泄气口，而气管则连接于供气口。连续沟槽分别连接于供气口与泄气口，连续沟槽又具有一顶面，此顶面面接于载盘上承载的一晶圆。
基本信息
专利标题 ：
晶圆承载装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820130058.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-08
授权号 ：
CN201311921Y
授权日 ：
2009-09-16
发明人 ：
刘奎江陈力山陈英信
申请人 ：
力鼎精密股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾苗栗县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈肖梅
优先权 ：
CN200820130058.8
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2011-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101138511774
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2008201300588
申请日 : 20080908
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20100908
号牌文件序号 : 101138511774
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2008201300588
申请日 : 20080908
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20100908
2009-09-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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