晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体，所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部，所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧，所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面显露口的多阶导流面。本实用新型所提供的晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，整体结构布置紧凑、内部结构精巧且功能全面，通过晶圆挂具部，可同时电镀多块晶圆，每块晶圆只镀一侧表面，通过电镀扩散与屏蔽部的多阶导流面可使得电镀液充分扩散，以保证电镀液均匀地电镀到晶圆上，达到厚度均匀的要求。
基本信息
专利标题 ：
晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922317679.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-22
授权号 ：
CN211394663U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
王振荣刘红兵卢鹏方琴剑
申请人 ：
上海新阳半导体材料股份有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区思贤路3600号
代理机构 ：
上海脱颖律师事务所
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN201922317679.8
主分类号 ：
C25D7/12
IPC分类号 ：
C25D7/12 C25D5/02 C25D5/08 C25D17/02 C25D17/08 C25D21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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