晶圆电镀装置
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆电镀装置，包括：腔体、高电阻虚拟阳极及阳极电极，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体的径向设置，所述高电阻虚拟阳极内具有一容置腔，所述高电阻虚拟阳极沿所述腔体轴向的第一表面和第二表面均呈外凸的弧形，所述第一表面具有第一通孔，所述第二表面具有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均与所述容置腔连通，所述高电阻虚拟阳极的第一表面和第二表面为相对的向外凸出的弧面，因为电镀溶液是从所述阳极电极往所述高电阻虚拟阳极方向流动，所以弧形的第一表面可以将电镀溶液中的气泡驱散至高电阻虚拟阳极的边缘，同时，电镀溶液的结晶也会因为弧形的第二表面滑落至高电阻虚拟阳极的边缘，从而避免了高电阻虚拟阳极的堵塞。
基本信息
专利标题 ：
晶圆电镀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920809928.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-30
授权号 ：
CN210215581U
授权日 ：
2020-03-31
发明人 ：
王金岗薛超林宗贤
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920809928.2
主分类号 ：
C25D7/12
IPC分类号 ：
C25D7/12 C25D17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2020-03-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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