化学气相沉积设备及其晶舟
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种化学气相沉积设备,包括炉管和放置于所述炉管内的晶舟,所述晶舟包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部,在所述第一端部和第二端部之间具有多个相互平行的、用于放置晶片的晶片插槽,且每个所述晶片插槽具有至少两个相互分离、用于支撑晶片的支撑架,其中,每一个所述支撑架所在的平面向所述第一端部所在的平面倾斜第一角度。本实用新型还公开了对应的一种应用于化学气相沉积设备的晶舟。采用本实用新型的化学气相沉积设备及其晶舟,可以有效解决晶片在化学气相沉积后水平检测不过关的问题。
基本信息
专利标题 :
化学气相沉积设备及其晶舟
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820123067.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-10-21
授权号 :
CN201347452Y
授权日 :
2009-11-18
发明人 :
赵星翟立君
申请人 :
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
100176北京市经济技术开发区文昌大道18号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
董立闽
优先权 :
CN200820123067.4
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2018-11-13 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20081021
授权公告日 : 20091118
申请日 : 20081021
授权公告日 : 20091118
2009-11-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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