载体环以及晶圆沉积设备
授权
摘要
该实用新型涉及一种载体环以及晶圆沉积设备，其中所述载体环，用于承载晶圆，包括：环形沟槽，设置在所述载体环的上表面，将所述载体环的圆心环绕在内，且所述上表面用于与晶圆接触，承载晶圆。以上载体环以及晶圆沉积设备在所述载体环的上表面设置有环形沟槽，这样，在对载体环的上表面放置的晶圆进行膜层沉积等操作时，若晶圆与载体环上表面之间有间隙，也不会在间隙内沉积膜层，而会直接沉积到环形沟槽中，这样，避免了沉积在载体环上表面的膜层顶起晶圆，造成晶圆放置不稳的现象的发生，也减少了因此造成的晶圆的缺陷，提高了晶圆生产的良率。
基本信息
专利标题 ：
载体环以及晶圆沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920989248.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-27
授权号 ：
CN210636067U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
贾中宇曾圣翔林宗贤
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920989248.3
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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