沉积设备
授权
摘要
本发明公开一种沉积设备，包括：反应腔室以及位于反应腔室内且与反应腔室同轴设置的上电极(6)、支撑环(5)、隔离环(15)和聚焦环(102)，隔离环(15)和聚焦环(102)设置于上电极(6)的外周壁与支撑环(5)的内周壁之间；隔离环(15)的内部设有空腔，空腔用于容纳液态介质材料；支撑环(5)内设有与空腔连通的进液通道(16)和排液通道(17)，进液通道(16)用于向空腔内输送液态介质材料，排液通道(17)用于将空腔中的液态介质材料排出。本公开实施例中，通过对隔离环内部的空腔更换具有不同介电常数的液态介质，能够改变隔离环的隔离电容，从而实现对等离子体的气体解离度和电子温度进行控制。
基本信息
专利标题 ：
沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111501025A
申请号 ：
CN202010328081.3
公开（公告）日 ：
2020-08-07
申请日 ：
2020-04-23
授权号 ：
CN111501025B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
陈兆滨
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN202010328081.3
主分类号 ：
C23C16/509
IPC分类号 ：
C23C16/509 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
C23C16/509
采用内电极
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/509
申请日 : 20200423
申请日 : 20200423
2020-08-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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