沉积设备
授权
摘要
本申请提供了一种沉积设备，所述沉积设备包括：反应腔室，所述反应腔室具有顶部以及环绕在所述顶部四周的侧壁；设置在所述反应腔室内的载物平台，所述载物平台用于放置待处理组件；设置在所述反应腔室外侧的线圈组件，所述线圈组件用于产生磁场，所述磁场用于控制所述反应腔室内等离子体，以在所述待处理组件表面进行沉积和溅射；设置在所述反应腔室外侧的磁场调节装置，所述磁场调节装置用于调节所述反应腔室内磁场的分布，提高所述反应腔室内电场和磁场的均匀性。本方案通过磁场调节装置调节在反应腔室内的电场和磁场分布均匀性，可以提高等离子体分布的均匀性，降低反应腔室内边缘区域与中心区域的等离子体密度差异，有利于提高工艺均匀性。
基本信息
专利标题 ：
沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122169904.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
CN216585183U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
张齐涂飞飞詹昶王新胜
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202122169904.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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