原子沉积镀膜设备
授权
摘要
本实用新型公开一种原子沉积镀膜设备，包括镀膜真空腔室、与所述镀膜真空腔室连接的源进气装置、与所述镀膜真空腔室连接的抽气装置以及与所述镀膜真空腔室连接的喷淋进气组件；所述喷淋进气组件包括可拆卸安装于所述镀膜真空腔室上的壳体，设于所述壳体上侧的进气管，所述进气管一端连接气源、另一端延伸进入所述壳体内腔且其喷淋口朝向下设置，以向所述镀膜真空腔室内部吹扫。原子沉积镀膜设备设有喷淋进气组件可以使得源气体分散更均匀，可提高镀膜效率及良品率。
基本信息
专利标题 ：
原子沉积镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122993417.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216550694U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈文翰乌磊刘磊李哲峰
申请人 ：
深圳市原速科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区群辉路3号优创空间2号楼429
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈红曼
优先权 ：
CN202122993417.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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