原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开一种原子层沉积设备，该原子层沉积设备包括反应装置、放卷装置和收卷装置，反应装置设置于放卷装置和收卷装置之间，反应装置具有沿基底传输方向延伸的沉积隧道以及与沉积隧道连通的气体供给口，气体供给口包括隔离气体供给口、至少一组前驱体供给口以及至少一组反应物供给口，任意两组前驱体供给口与反应物供给口沿基底的传输方向交替间隔设置，任意相邻的一组前驱体供给口与一组反应物供给口之间设置有隔离气体供给口，每组前驱体供给口包括至少两个前驱体供给口，每组反应物供给口包括至少两个反应物供给口。本实用新型能够减少前驱体和反应物的总用量，避免前驱体和反应物多余的浪费，节约成本。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020670179.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212335286U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
李哲峰乌磊
申请人 ：
深圳市原速光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
杨雪梅
优先权 ：
CN202020670179.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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