可减少前驱物沉积的原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型是一种可减少前驱物沉积的原子层沉积设备，包括腔体、承载装置、遮蔽件、至少一进气口及至少一抽气口，其中承载装置与遮蔽件位于腔体的容置空间内。遮蔽件用以遮挡腔体的部分内表面，而进气口则流体连接腔体的容置空间。在原子层沉积制程中，气体可由进气口通入腔体的内表面与遮蔽件之间，以避免前驱物进入腔体与遮蔽件之间的空间。抽气口可抽离未与基材反应的前驱物，并可减少前驱物残留在腔体的内表面，并降低腔体的清洁周期及提升产品良率。
基本信息
专利标题 ：
可减少前驱物沉积的原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022852920.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
CN216274360U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
林俊成郭大豪
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202022852920.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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