原子层沉积设备及方法

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摘要

本发明提供的原子层沉积设备，包括：第一稀释气路、第一前驱体气路以及第一主路，其中，第一前驱体气路的进气端连接第一前驱体源，第一前驱体气路的出气端连接第一主路的进气端，且第一前驱体气路与第一主路选择性连通；第一稀释气路的进气端连接至第一稀释源，第一稀释气路的出气端连接第一主路的进气端，且第一稀释气路和第一主路选择性连通；第一主路的出气端连接反应腔室。通过在第一前驱气路上设置第一限流结构，限制输送至反应腔室的第一前驱气体流量，当第一前驱气体为高蒸汽压前驱体时，有效降低输送至反应腔室的第一前驱气体流量，以在后续第一吹扫步骤中，无需延长吹扫时长，即能将反应腔室中的第一前驱体彻底吹扫，提高沉积均匀性。

基本信息

专利标题：

原子层沉积设备及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111304628A

申请号：

CN201811509781.1

公开（公告）日：

2020-06-19

申请日：

2018-12-11

授权号：

CN111304628B

授权日：

2022-05-27

发明人：

纪红史小平兰云峰赵雷超秦海丰张文强

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201811509781.1

主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/455