原子层沉积设备与制程方法
授权
摘要
本发明提供原子层沉积设备与制程方法。原子层沉积设备包括腔体、加热台、载盘、中空部件、底部抽气口与喷头组件，其中载盘位于加热台的顶表面并用以承载基材，而载盘与中空部件可形成上抽气路径。透过上抽气路径缓慢地抽离制程流体(例如，前驱物)，可使制程流体的流场被稳定地调控，进而使原子层沉积制程中的基材可受前驱物均匀地沉积。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积设备与制程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112522682A
申请号 ：
CN202011210989.0
公开（公告）日 ：
2021-03-19
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN112522682B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
林俊成郭大豪
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202011210989.0
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458 C23C16/44 C23C16/52
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-04-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201103
申请日 : 20201103
2021-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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