原子层沉积设备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种用于处理基材的原子层沉积设备(2)。该设备包括原子层沉积反应器(8)和连接到原子层沉积反应器(8)的一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)。设备(2)还包括设备外壳体(10,20,30,40)、设备通风排放连接件(4,6)以及一个或多个设备通风入口连接件(52)，原子层沉积反应器(8)和一个或多个前驱体源(70,71,72,73)设置在设备外壳体(10,20,30,40)内部，该设备通风排放连接件布置成从设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体，该一个或多个设备通风入口连接件设置到设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到设备外壳体(10,20,30,40)中。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375349A
申请号 ：
CN202080060543.6
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·索恩宁H·阿米诺夫V·米库莱宁P·J·索恩宁
申请人 ：
BENEQ有限公司
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京汇知杰知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴焕芳
优先权 ：
CN202080060543.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52 C23C16/448
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200626
申请日 : 20200626
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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