一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种原子层沉积装置及原子层沉积设备，其中底板上设置有若干主固定孔和若干调节槽。本实用新型技术方案通过在底板上开设多个主固定孔，多个主固定孔用于与固定部件配合，将底板固定在外部设备上，调节槽的尺寸大于主固定孔的孔径，当需要调整底板的偏移角度时，可以通过调节槽进行位置的微调，调节完成后，可在调节槽内设置螺钉等，以固定底板，提高底板安装的精确度，而主固定孔用于固定安装在底板上的其他固定部件，例如传输辊等。
基本信息
专利标题 ：
一种原子层沉积装置及原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020673133.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212335291U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
李哲峰乌磊
申请人 ：
深圳市原速光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
魏兰
优先权 ：
CN202020673133.6
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/54
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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