一种原子沉积置物框与原子沉积设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种原子沉积置物框，包括置物单元，所述置物单元包括多个置物台面；多个所述置物台面套嵌设置于所述置物单元中，且尺寸较小的所述置物台面位置低于尺寸较大的所述置物台面；尺寸最小的所述置物台面底部包括负压腔体，所述负压腔体包括多个放气孔。本实用新型通使不同尺寸的待沉积硅片都能有适合的置物台面将其固定，实现同一原子沉积置物框能提供多种规格的待沉积硅片使用的效果，大大降低了生产成本，且由于在更换不同尺寸的待沉积硅片后不需要像现有技术一样随之更换新的原子沉积置物框，不需要重新进行对应的饱和工艺及蓝膜检测，简化了工艺流程，提高了生产效率。本实用新型还提供了一种具有上述有益效果的原子沉积设备。
基本信息
专利标题 ：
一种原子沉积置物框与原子沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020207206.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211088233U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
侯新倾刘权辉周超吴克恒
申请人 ：
浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王雨
优先权 ：
CN202020207206.2
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L31/18 H01L21/02 C23C16/40 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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