原子层沉积装置和原子层沉积方法
实质审查的生效
摘要
在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积装置和原子层沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114286875A
申请号 ：
CN202080060774.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龟田直人三浦敏德花仓满
申请人 ：
株式会社明电舍
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王庆华
优先权 ：
CN202080060774.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/40 H01L21/31 H01L21/316
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200422
申请日 : 20200422
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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