原子层沉积装置
授权
摘要
本实用新型公开一种原子层沉积装置，其中，所述原子层沉积装置包括气体分布组件和扩散槽，所述气体分布组件包括一级分流器和多个二级分流器，所述一级分流器具有第一进气孔和多个第一出气孔，每个所述二级分流器均具有第二进气孔和多个第二出气孔；所述一级分流器通过多个所述第一出气孔与多个所述二级分流器的第二进气孔一一对应连通；所述扩散槽与所述第二出气孔连通。本实用新型技术方案利用一级分流器和二级分流器连通，实现供气的同时简化原子层沉积装置结构。
基本信息
专利标题 ：
原子层沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020673168.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212335292U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
李哲峰张光海
申请人 ：
深圳市原速光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
魏兰
优先权 ：
CN202020673168.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212335292U.PDF
PDF下载
