前驱体源布置和原子层沉积设备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及用于原子层沉积设备的前驱体源布置，该前驱体源布置用于接纳用于液体前驱体的液体前驱体容器(56、56’、57、57’)。本发明还涉及原子层沉积设备。前驱体源布置包括前驱体容器支撑布置(27、27’、28、28’、50、50’、51、51’、70、71、72、73、74)，该前驱体容器支撑布置(27、27’、28、28’、50、50’、51、51’、70、71、72、73、74)布置成将液体前驱体容器(56、56’、57、57’)保持在相对于竖向方向(V)的倾斜位置中。
基本信息
专利标题 ：
前驱体源布置和原子层沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341400A
申请号 ：
CN202080060548.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-06-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·阿米诺夫P·索恩宁P·J·索恩宁V·米库莱宁
申请人 ：
BENEQ有限公司
申请人地址 ：
芬兰埃斯波
代理机构 ：
北京汇知杰知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴焕芳
优先权 ：
CN202080060548.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/448 F17C13/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20200626
申请日 : 20200626
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
