沉积源
公开
摘要
一实施例的沉积源包括沉积模块以及收纳沉积模块的壳体,沉积模块包括:第一坩埚,沿着第一方向延伸,并且在内部空间收纳沉积物质;多个喷嘴,配置在第一坩埚上,并且沿着第一方向排列多个喷嘴;发热部件,收纳第一坩埚;以及辐射热防止部件,配置在发热部件的上表面、外侧面和下表面上,辐射热防止部件包括多个反射器以及分别连接多个反射器之中的相邻的反射器之间的多个销,多个销被配置成在平面上彼此错开。本发明的沉积源防止在沉积源内产生的热朝向沉积源的外部的损失或散出,从而提供一种在高温环境下提高了可靠性的沉积源。
基本信息
专利标题 :
沉积源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114293150A
申请号 :
CN202110939105.3
公开(公告)日 :
2022-04-08
申请日 :
2021-08-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑和平徐敏逵姜有珍尹钟建程相慜洪锡俊
申请人 :
三星显示有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
朴英淑
优先权 :
CN202110939105.3
主分类号 :
C23C14/26
IPC分类号 :
C23C14/26
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/26
电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法
法律状态
2022-04-08 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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