物理沉积系统
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种用于形成膜的物理沉积系统,该系统在超高真空环境中通过超音速气流,使利用非移动型等离子炬产生的微粒加速,从而使微粒沉积到基片上而不产生释气。该物理沉积系统包括:蒸发腔(10,20),其内部具有等离子炬(16,26)和蒸发源(15,25);以及成膜腔(30),其内部具有超音速喷嘴(35)和用于沉积膜的基片(33)。每个等离子炬包括:基本上呈管状的导电阳极(40);聚合物基或非聚合物基的绝缘管(50),该绝缘管被插入阳极中并且产生比电木要少的释气;以及棒状阴极(60),它被插入绝缘管(50)中。通过利用向阳极(40)和阴极(60)加电压而获得的等离子体,便从蒸发源(15,25)中产生微粒,这些微粒从超音速喷嘴(35)中喷射出去并且被超音速气流携载着,由此在基片(33)上物理地沉积了一层膜。

基本信息
专利标题 :
物理沉积系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101061249A
申请号 :
CN200580039353.1
公开(公告)日 :
2007-10-24
申请日 :
2005-10-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汤本敦史丹羽直毅广木富士男塩田一路山本刚久
申请人 :
多摩-技术转让机关株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
郭辉
优先权 :
CN200580039353.1
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24  C23C14/32  C23C14/26  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2013-01-30 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101509795074
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利号 : ZL2005800393531
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 多摩-技术转让机关株式会社
变更后权利人 : 田中贵金属工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20130105
2010-12-08 :
授权
2007-12-19 :
实质审查的生效
2007-10-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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