一种物理气相沉积设备
授权
摘要
一种物理气相沉积设备，包括除气室、等离子体室以及反应室，其中除气室用以去除半导体组件上的水分，等离子体室通过感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，以及反应室对半导体组件实施镀膜工艺以在半导体组件的表面形成金属基膜。本实用新型披露的物理气相沉积设备通过等离子体室内的感应耦合式等离子体清洁半导体组件的表面以及填补半导体组件的表面悬浮键结，如此一来可以降低半导体组件上外延层不必要的损伤，进而提升半导体组件的可靠度。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922093302.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN213245251U
授权日 ：
2021-05-21
发明人 ：
钟瑞伦吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922093302.9
主分类号 ：
C23C14/02
IPC分类号 ：
C23C14/02 H01L21/67 H01L21/335
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2021-05-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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