物理气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型提供一种物理气相沉积设备，包括：腔体、加热基座、靶材及匀气管路；靶材位于腔体上部，并与射频电源连接；加热基座位于腔体下部，用于承载晶圆；匀气管路位于靶材下方且位于加热基座上方，用于向晶圆表面均匀供应气体，匀气管路包括匀气外环管及匀气内环管以及连接于匀气外环管及匀气内环管之间的支撑管，匀气外环管及匀气内环管上分布有多个出气孔，匀气外环管通过连接管与腔体上的进气口连接。
基本信息
专利标题 ：
物理气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022310403.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN214458275U
授权日 ：
2021-10-22
发明人 ：
尹勇
申请人 ：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区城北路235号1号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202022310403.X
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/54 C23C14/06 C23C14/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2021-10-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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