一种物理气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本实用新型提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922116863.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-02
授权号 ：
CN211311572U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
陈卫军刘岩军林信南刘美华
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华英
优先权 ：
CN201922116863.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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