沉积－刻蚀－沉积反应系统

专利权的终止

摘要

一种沉积－刻蚀－沉积反应系统，所述反应系统包括第一反应装置，用以执行沉积操作；第二反应装置，与第一反应装置分离，用以执行刻蚀操作；制程控制装置，用以承载及运送所述半导体基底，并完成所述半导体基底在所述第一反应装置和所述第二反应装置间的切换。可减少刻蚀操作对沉积－刻蚀－沉积反应装置(如HDPCVD反应装置)造成的损伤。

基本信息

专利标题：

沉积－刻蚀－沉积反应系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720144361.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-12-13

授权号：

CN201138658Y

授权日：

2008-10-22

发明人：

张文广郭佳衢

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

优先权：

CN200720144361.9

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/02 H01L21/67 H01L21/677

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2018-01-23 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20071213
授权公告日 : 20081022

2012-12-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101487369041
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2007201443619
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号
登记生效日 : 20121115

2008-10-22 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN201138658Y.PDF

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