新型边缘刻蚀反应装置
授权
摘要
一种新型边缘刻蚀反应装置，新型边缘刻蚀反应装置包括：主体腔；位于所述主体腔内的可移动上电极和晶圆夹持平台，所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置；位于所述主体腔内的且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环；位于所述主体腔内的等离子体约束环，所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部，所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙；所述可移动上电极与所述晶圆夹持平台和所述射频隔离环之间用于容纳晶圆。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和刻蚀效率。
基本信息
专利标题 ：
新型边缘刻蚀反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021249584.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212277161U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
吴堃杨猛
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021249584.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683 H01L21/02 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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