刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备
授权
摘要
本申请提供了刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备,涉及硅片刻蚀装置技术领域。一种刻蚀滚轮,刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱,相邻的两个凸棱之间形成有凹槽,凸棱为弯曲状结构。该刻蚀滚轮的凸棱为弯曲状,该结构使得凸棱在刻蚀过程中具有一定的携带酸液的能力,进而增加刻蚀滚轮的携带酸液的能力,降低对氢氟酸的需求量,从而可以降低酸的使用量,刻蚀效果也更加稳定。同时,弯曲结构能够提高凸棱的形变能力,使得刻蚀滚轮在与硅片等材料作用接触的过程中能够发生形变,可以有效弥补和抵消硅片在抖动、震动过程中的一些位移,进而可以保证刻蚀工序的背面刻蚀效果正常,降低失效片的产生。
基本信息
专利标题 :
刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021001856.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-03
授权号 :
CN211828707U
授权日 :
2020-10-30
发明人 :
谢毅周公庆马志强王璞
申请人 :
通威太阳能(眉山)有限公司
申请人地址 :
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
唐菲
优先权 :
CN202021001856.8
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-10-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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