原子层刻蚀设备及刻蚀方法
授权
摘要
本申请实施例提供了一种原子层刻蚀设备及刻蚀方法。该原子层刻蚀设备包括：工艺腔室、上射频组件及辅助等离子体产生装置；上射频组件用于向工艺腔室内施加射频功率，以将进入所述工艺腔室内的工艺气体激发为等离子体；辅助等离子体产生装置用于向工艺腔室内输送电子，以使等离子体稳定在感性耦合放电模式。本申请实施例实现了工艺腔室可以快速进入感性耦合放电模式，缩减了等离子体进入感性耦合放电模式时间，缩减原子层每个操作周期时间，从而提高原子层刻蚀效率以及工艺良率。
基本信息
专利标题 ：
原子层刻蚀设备及刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110718440A
申请号 ：
CN201910982819.5
公开（公告）日 ：
2020-01-21
申请日 ：
2019-10-16
授权号 ：
CN110718440B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
赵晓丽
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201910982819.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-02-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20191016
申请日 : 20191016
2020-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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