刻蚀方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种刻蚀方法,用于对硅衬底表面的沟槽中的金属层进行刻蚀。待加工的硅衬底表面开设有至少一个沟槽,且在硅衬底表面和沟槽的表面覆盖有连接层;并且在连接层上设置有金属层,金属层包括覆盖在沟槽上方以及位于沟槽周围的连接层上方的第一部分,以及填充在沟槽中的第二部分;该刻蚀方法包括以下步骤:S1、对金属层的第一部分进行刻蚀,直至连接层表面暴露;S2、在金属层和连接层上沉积满足预设平面度的辅助层,辅助层覆盖金属层和连接层;S3、沿沟槽的深度增加的方向并以相同的刻蚀速度对辅助层、金属层和连接层刻蚀预设深度。本发明实施例提供的刻蚀方法能够在硅衬底的沟槽中形成较为平整的金属层,以提高金属栅极的性能。

基本信息
专利标题 :
刻蚀方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361027A
申请号 :
CN202111524197.5
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
沈涛朱瑞苹刘海龙
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
彭瑞欣
优先权 :
CN202111524197.5
主分类号 :
H01L21/3213
IPC分类号 :
H01L21/3213  H01L21/66  H01J37/32  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层或电阻层;这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀,例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3213
申请日 : 20211214
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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