刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统。该刻蚀方案的确定方法包括：提供一测试掩模板，其中，测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案。该方法不仅能够保证刻蚀图案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌一致，且有效节省了人力和物力。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488703A
申请号 ：
CN202111509340.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程雷朱蕾
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
任欢欢
优先权 ：
CN202111509340.3
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F1/70 G03F1/44 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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