硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片刻蚀承载结构，包括一端开口的盒体结构，以及能够封堵所述开口的盖体，所述盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。通过硅片刻蚀承载结构的设置，可以将待刻蚀硅片至于密封的盒体结构内，仅将待刻蚀区外露以与刻蚀液接触进行刻蚀，而刻蚀过程中、直至硅片刻蚀完成被取出刻蚀槽的整个过程中，避免硅片待刻蚀区之外的区域与外界接触，避免硅片除了待刻蚀区之外的区域的损伤，提高了后续的测试的精确性。本实用新型还涉及一种硅片刻蚀装置和一种DOSD测试设备。
基本信息
专利标题 ：
硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022317668.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
CN211957617U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
衡鹏
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN202022317668.2
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/67 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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