一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型涉及硅片生产制造技术领域，公开一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备。该硅片湿法刻蚀用槽体结构包括槽体、溢流组件和调节螺栓，槽体内盛装有刻蚀溶液；溢流组件包括固定板和活动板，固定板设置于槽体的槽壁上，活动板上设置有容纳槽，活动板可上下活动地设置于容纳槽内，活动板上设置有轴线沿竖直方向延伸的第一螺纹孔；调节螺栓能旋拧于第一螺纹孔内并抵接于容纳槽的槽底；或者容纳槽的槽底对应第一螺纹孔设置有第二螺纹孔，调节螺栓依次穿设于第一螺纹孔和第二螺纹孔内。所述硅片湿法刻蚀用槽体结构，结构简单，只需要旋拧调节螺栓即可实现活动板与固定板之间相对位置的调节，从而起到调节槽体内刻蚀溶液的液面高度的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片湿法刻蚀用槽体结构及湿法刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122726876.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
CN216213294U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
易书令唐步玉姜大俊
申请人 ：
盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市盐城经济技术开发区漓江路66号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
李林
优先权 ：
CN202122726876.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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