湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质
授权
摘要
本发明提供一种湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质。湿法刻蚀设备包括至少一刻蚀腔，每一刻蚀腔具有前端入口和后端出口，当所述刻蚀腔具有两个或以上时，所述蚀刻腔之间首尾相接设置；每一刻蚀腔包括常开喷淋单元；其中一蚀刻腔还包括辅助喷淋单元；当具有待图案化处理膜层的基片通过这一刻蚀腔，所述常开喷淋单元用以对所述基片喷射喷淋液；所述辅助喷淋单元用以对所述基片增加喷射预设量的喷淋液，解决了平坦层进行图案化处理时的Mura。湿法刻蚀设备的控制方法包括步骤：获取待图案化处理膜层，开启辅助喷淋单元。存储介质存储有计算机程序，所述控制器运行所述计算机程序，以执行上述湿法刻蚀设备的控制方法的步骤。
基本信息
专利标题 ：
湿法刻蚀设备及其控制方法、存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110634773A
申请号 ：
CN201910810777.7
公开（公告）日 ：
2019-12-31
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN110634773B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
胡炳煌
申请人 ：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
代理机构 ：
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄威
优先权 ：
CN201910810777.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-01-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190829
申请日 : 20190829
2019-12-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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