一种晶圆湿法刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆湿法刻蚀装置，包括机架，机架上安装有一对输送辊组，一对输送辊组之间安装有若干条间隔的输送带，机架上位于输送带的上游端安装有导向装置，输送带的下方竖直升降安装有升降座，升降座上绕竖直中心线转动安装有旋转座，旋转座由安装于升降座上的旋转电机驱动，旋转座上安装有方便从输送带之间的空隙区域露出的托盘，托盘上设置有若干个支撑柱，若干个支撑柱之间形成了方便晶圆放置的放置区域，机架上位于输送带的上方设置有喷淋刻蚀液的喷淋装置，该装置能够有效改善晶圆破碎，方便定位，夹持牢固，避免晶圆破碎导致刻蚀液进入其他部分，提高生产安全，提升生产质量。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆湿法刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123238926.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN216528780U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
牛立久张雪奎刘增增周一雷徐金鑫
申请人 ：
山东华楷微电子装备有限公司
申请人地址 ：
山东省日照市日照高新区高新六路17号日照智慧微电产业园（高新六路与艳阳路交汇处）
代理机构 ：
苏州金项专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金星
优先权 ：
CN202123238926.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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