湿法刻蚀的方法
实质审查的生效
摘要

一种湿法刻蚀的方法,包括:提供基底,所述基底表面具有待刻蚀层;对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理,直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度,每次所述刻蚀处理包括:进行第一步刻蚀,所述第一步刻蚀中,所述基底具有第一转速;在所述第一步刻蚀之后,进行第二步刻蚀,所述第二步刻蚀中,所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速,且所述基底表面的化学药液的液膜增至第一厚度;在所述第二步刻蚀之后,进行第三步刻蚀,所述基底具有第三转速,所述第三转速低于或等于所述第一转速,使所述化学药液液膜厚度足够厚,从而减少空气中的氧气进入待刻蚀层表面的机会,利于均匀的刻蚀,提高所述待刻蚀层表面的平整度,减少腐蚀坑缺陷产生的几率。

基本信息
专利标题 :
湿法刻蚀的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446765A
申请号 :
CN202011219380.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙天杨余桥张晓山
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202011219380.X
主分类号 :
H01L21/02
IPC分类号 :
H01L21/02  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201104
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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