槽式湿法刻蚀装置
授权
摘要
一种槽式湿法刻蚀装置包括:工艺槽,至少一个酸液供应罐,连接管道和支撑部件,其中,所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置,所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通,所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道,所述横向管道的入口端与所述酸液供应罐连接,所述纵向管道的出口端与所述工艺槽连接,所述酸液供应罐用于存储酸液以及将存储的酸液通过连接管道供应到工艺槽中,所述工艺槽用于将所述酸液供应罐供应的酸液稀释或者将供应的多种酸液混合,以进行刻蚀工艺;所述支撑部件与所述横向管道接触,用于使得所述横向管道保持水平。本实用新型槽式湿法刻蚀装置保证每次换酸后酸的浓度能保持稳定。
基本信息
专利标题 :
槽式湿法刻蚀装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020142309.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-22
授权号 :
CN211320057U
授权日 :
2020-08-21
发明人 :
丁齐齐
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
董琳
优先权 :
CN202020142309.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-08-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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