一种晶圆湿法刻蚀系统
授权
摘要

本实用新型涉及一种晶圆湿法刻蚀系统,包括:晶圆湿法刻蚀装置,包括控制器和晶圆刻蚀机台;刻蚀液供应装置,包括:第一和第二刻蚀液供应装置,第一刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第一储液容器、连接第一储液容器和晶圆刻蚀机台的第一管路以及设置在该第一管路上的第一阀门;第二刻蚀液供应装置包括用于容纳刻蚀液的第二储液容器、连接第二储液容器和晶圆刻蚀机台的第二管路以及设置在该第二管路上的第二阀门,第一刻蚀液供应装置还包括安装在第一储液容器中的第一连续式液位测量装置,第二刻蚀液供应装置还包括安装在第二储液容器中的第二连续式液位测量装置。

基本信息
专利标题 :
一种晶圆湿法刻蚀系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921866659.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-31
授权号 :
CN211017014U
授权日 :
2020-07-14
发明人 :
熊佳瑜李绪陈浩廖世旺廖昌洋
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 :
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 :
刘恋
优先权 :
CN201921866659.X
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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