一种半导体湿法刻蚀系统
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体湿法刻蚀系统,包括机壳,机壳内设有平移腔,平移腔下端壁固定连接有左右对称的两个放置块,平移腔下端壁内设有两个左右对称的转动腔,机壳内设有运输机构、旋转机构、传动机构,运输机构能够将晶圆竖直的放入转动腔内,方便刻蚀,旋转机构能够使晶圆竖直方向转动,传动机构能够为旋转机构提供动力,通过运输机构中设有能够相向运动并能够与晶圆接触的夹紧轮,从而实现夹紧晶圆,防止晶圆掉落,通过设有的能够左右运动的平移块,以及能够上下运动的升降块,从而实现晶圆的自动上料与运输,通过旋转机构中设有的能够上下运动的升降杆,从而实现对不同规格的晶圆进行刻蚀。

基本信息
专利标题 :
一种半导体湿法刻蚀系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114284172A
申请号 :
CN202111467512.5
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
丁莉萍
申请人 :
丁莉萍
申请人地址 :
浙江省嘉兴市桐乡市崇福镇南门工农路1号枣强街14号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202111467512.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01L21/677  H01L21/687  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211203
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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