半导体刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体刻蚀设备，其包括：大气传送腔，用于容纳被刻蚀物；气体过滤装置，设置在所述大气传送腔的进气口处，所述气体过滤装置包括初级过滤件及次级过滤件，所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经过所述初级过滤件后进入所述过滤通道，并经所述次级过滤件进入所述大气传送腔。本实用新型的优点在于，将所述初级过滤件及次级过滤件通过过滤通道连接，外界气体经所述初级过滤件过滤后直接由过滤通道进入次级过滤件过滤，避免了经初级过滤件过滤的气体在进入次级过滤件之前被污染，大大减小了进入所述大气传送腔的污染源，从而避免在被刻蚀物表面形成凝结性污染物，提高被刻蚀物的良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921433632.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN210272276U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921433632.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B01D46/00 B01D46/12 B01D53/22 B01D53/26
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210272276U.PDF
PDF下载
