腔盖及半导体刻蚀装置

授权

摘要

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种腔盖及半导体刻蚀装置。所述腔盖用于封闭反应腔室，所述腔盖包括：温控板，所述温控板内包含温度传感器，所述温度传感器用于测量温控板温度；输入管道，连接所述温控板且在所述温控板中导通，用于传输换热介质，以与所述温控板进行热交换；介质控制器，连接所述输入管道，用于基于所述温控板温度调整所述输入管道内部传输的所述换热介质的状态。本实用新型避免了温控板和反应腔室内出现温差过大的现象，改善了晶圆刻蚀质量，提高了产品良率。

基本信息

专利标题：

腔盖及半导体刻蚀装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921319892.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-14

授权号：

CN210073760U

授权日：

2020-02-14

发明人：

不公告发明人

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921319892.6

主分类号：

H01J37/16

IPC分类号：

H01J37/16 H01J37/30 H01J37/305 H01L21/67