晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置,装置包括温度传感器、气体提供机构、加热器及加热控制器。温度传感器用于感应陶瓷盘的温度。气体提供机构包括输送管道,气体提供机构用于将气体通过输送管道通入到制程腔室的上部腔室内。加热器用于对输送管道内的气体进行加热处理。加热控制器分别与温度传感器、气体提供机构、加热器电性连接,加热控制器用于根据陶瓷盘的温度相应控制气体提供机构调整通入到上部腔室内的气体流量大小,以及控制加热器调整工作功率大小。相对于传统的控温方式,由于能实时调节气体流量大小,以及加热器功率,能较好地控制陶瓷盘的温度,控温快速,同时能节省成本。
基本信息
专利标题 :
晶圆刻蚀系统及刻蚀腔室的加热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921603362.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-25
授权号 :
CN210378978U
授权日 :
2020-04-21
发明人 :
张广平张志强
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
蔡晓军
优先权 :
CN201921603362.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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