本实用新型公开了一种适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，涉及金属干法刻蚀设备技术领域，该适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，包括刻蚀室，所述刻蚀室的底板上开设有滑槽，所述滑槽的内部设置有滑块，所述滑块远离滑槽的一端固定连接有活动盘，所述活动盘远离滑块的一侧固定连接有支撑台。该适用于金属干法刻蚀半导体设备的刻蚀腔室，通过设置支撑台、填充块和卡框，能够将需要刻蚀的半导体晶片固定在活动盘，便于对半导体晶片进行刻蚀去除不需要的部分，避免了在刻蚀时半导体晶片被轰击后表面处于倾斜状态，导致刻蚀的均匀性极大受到影响的情况出现，实现了将半导体晶片固定，防止其在刻蚀时倾斜的目的。