一种干法刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种干法刻蚀设备，包括：静电吸盘，用于承托并吸附晶圆；以及导电环，设置于与所述静电吸盘的外周并接地；所述导电环设有若干沿高度方向贯通的第一通孔，第一通孔的设置，更利于干法刻蚀设备的反应腔室内气流的下排，进而改善了晶圆边缘部位的刻蚀速率的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种干法刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921358890.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-20
授权号 ：
CN210325711U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
薛荣华朱进刘家桦叶日铨
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海立群专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨楷
优先权 ：
CN201921358890.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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