一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备，包括连接部和呈环状的提升部，所述提升部包括向上延伸的环状侧壁，所述侧壁的顶面为向内侧下方倾斜的光滑斜面，所述侧壁内侧设有向内凸起的至少三个高度相同的用于支撑晶圆的支撑部，所述支撑部的顶面不高于所述斜面的最低位置。本实用新型不用额外辅助工具就能实现晶圆校准，能有效防止晶圆位置偏移，解决了偏移晶圆传入冷却腔室后位置不好导致的晶圆冷却效果不佳、晶圆刮伤或碎片等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆自整定冷却升降装置及干法刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022097000.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN212659519U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
旷运中
申请人 ：
联合微电子中心有限责任公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁欣
优先权 ：
CN202022097000.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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