干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统
授权
摘要
本实用新型提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括：检测盒，设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上；酸性指示剂，装填在检测盒之内，能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应；PH值探测器，安装在检测盒上并且能够与酸性指示剂相接触，以检测酸性指示剂的PH值；控制面板，与PH值探测器连接，用于接收PH值探测器的检测值，控制面板将检测值与预设值相比较，以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。本实用新型避免了过早及滞后对颗粒堆积物进行清理造成的不利影响，降低了人工成本、提高了干法刻蚀机台的利用率，提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。
基本信息
专利标题 ：
干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123348572.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216749821U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
张军徐作杰姜祎祎张德伟汤介峰荆泉陈力钧
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202123348572.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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