刻蚀机台
授权
摘要
本实用新型提供了一种刻蚀机台，包括：腔室、第一气体传送装置及第二气体传送装置，所述第一气体传送装置包括：第一气体管路及第一喷头；所述第二气体传送装置包括：第二气体管路及多个第二喷头，所述第二气体管路包括：第一分支管路及第二分支管路，其中，所述第二分支管路环绕所述腔室内侧壁设置，各所述第二喷头安装在所述第二分支管路上。通过所述第一喷头以及所述第二喷头能够同时向腔室内喷射反应气体，使反应气体喷向腔室内的晶圆边缘区域与中心区域的流量趋于一致，从而提高晶圆边缘区域的刻蚀速率，有效地改善晶圆刻蚀的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920599799.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-28
授权号 ：
CN209766374U
授权日 ：
2019-12-10
发明人 ：
张大龙栾剑峰刘家桦叶日铨
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920599799.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-12-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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